Nomor Produk Pabrikan:
DMG7N65SJ3
Product Overview
Produsen:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Nomor Bagian:
DMG7N65SJ3-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251
Deskripsi Detail:
N-Channel 650 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-251
Inventaris:
12884126
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
DMG7N65SJ3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Diodes Incorporated
Pengemasan
-
Seri
Automotive, AEC-Q101
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
650 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
886 pF @ 50 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
125W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-251
Paket / Kasus
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Nomor Produk Dasar
DMG7N65
Informasi Tambahan
Paket Standar
75
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
DMPH6050SFGQ-7
MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
2N7002-7
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
DMT6013LSS-13
MOSFET N-CH 60V 10A 8SO
