Nomor Produk Pabrikan:
FDP100N10
Product Overview
Produsen:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Nomor Bagian:
FDP100N10-DG
Deskripsi:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Deskripsi Detail:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaris:
2970 Pcs Baru Asli Tersedia
12947141
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
FDP100N10 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Pengemasan
Bulk
Seri
PowerTrench®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
100 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
10mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
7300 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
208W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-220-3
Paket / Kasus
TO-220-3
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
159
Nama lain
2156-FDP100N10
ONSONSFDP100N10
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IRF6641TRPBF
IRF6641 - 12V-300V N-CHANNEL POW
FQU5N60CTU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
PSMN2R6-60PSQ
NOW NEXPERIA PSMN2R6-60PSQ - 150