Nomor Produk Pabrikan:
AIMW120R045M1XKSA1
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
AIMW120R045M1XKSA1-DG
Deskripsi:
SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3
Deskripsi Detail:
N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventaris:
239 Pcs Baru Asli Tersedia
12948663
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
AIMW120R045M1XKSA1 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tube
Seri
CoolSiC™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
1200 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
59mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5.7V @ 10mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
57 nC @ 15 V
Vgs (Maks)
+20V, -7V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2130 pF @ 800 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
228W (Tc)
Suhu Operasional
-40°C ~ 175°C (TJ)
Derajat
Automotive
Kualifikasi
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO247-3
Paket / Kasus
TO-247-3
Nomor Produk Dasar
AIMW120
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
30
Nama lain
SP002472666
448-AIMW120R045M1XKSA1
2156-AIMW120R045M1XKSA1-448
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IPD90P03P404ATMA2
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
IPD80P03P4L07ATMA2
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
IPB180P04P403ATMA2
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
