Nomor Produk Pabrikan:
IPD096N08N3GATMA1
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IPD096N08N3GATMA1-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Deskripsi Detail:
N-Channel 80 V 73A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventaris:
2500 Pcs Baru Asli Tersedia
12849342
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IPD096N08N3GATMA1 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
OptiMOS™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
80 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
73A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
6V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
9.6mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.5V @ 46µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2410 pF @ 40 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
100W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO252-3
Paket / Kasus
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Nomor Produk Dasar
IPD096
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
2,500
Nama lain
SP001127826
IPD096N08N3GATMA1DKR
IPD096N08N3GATMA1CT
IPD096N08N3GATMA1TR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
FDS3572
MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
AOTF266L
MOSFET N-CH 60V 18A/78A TO220-3F
FQB33N10TM
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
