Nomor Produk Pabrikan:
IPP023NE7N3GXKSA1
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IPP023NE7N3GXKSA1-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Deskripsi Detail:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventaris:
460 Pcs Baru Asli Tersedia
12806021
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IPP023NE7N3GXKSA1 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tube
Seri
OptiMOS™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
75 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.8V @ 273µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
14400 pF @ 37.5 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
300W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO220-3-1
Paket / Kasus
TO-220-3
Nomor Produk Dasar
IPP023
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data
Informasi Tambahan
Paket Standar
50
Nama lain
IPP023NE7N3 G
IPP023NE7N3 G E8177-DG
IPP023NE7N3 GTR
IPP023NE7N3GCTINACTIVE
2156-IPP023NE7N3GXKSA1-448
IPP023NE7N3 GTR-DG
IPP023NE7N3GE8177AKSA1
IPP023NE7N3GDKRINACTIVE
IPP023NE7N3 G-DG
IPP023NE7N3 GCT
IPP023NE7N3 GDKR-DG
IPP023NE7N3 GCT-DG
IPP023NE7N3 GDKR
IPP023NE7N3 GDKRINACTIVE-DG
IPP023NE7N3 GCTINACTIVE-DG
IPP023NE7N3 G E8177
SP000641722
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IRFH8330TRPBF
MOSFET N-CH 30V 17A/56A PQFN
IRLZ44ZL
MOSFET N-CH 55V 51A TO262
SPP80N04S2-H4
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
