Beranda
Produk
Produsen
Tentang DiGi
Hubungi Kami
Blog dan Postingan
RFQ/Quote
Indonesia
Masuk
Bahasa Pilihan
Bahasa saat ini yang Anda pilih:
Indonesia
Beralih:
Inggris
Eropa
Inggris
Prancis
Spanyol
Turki
Moldova
Lithuania
Norwegia
Jerman
Portugal
Slovakia
ltaly
Finlandia
Rusia
Bulgaria
Denmark
Estonia
Polandia
Ukraina
Slovenia
Ceko
Yunani
Kroasia
Israel
Serbia dan Montenegro
Belarus
Belanda
Swedia
Montenegro
Basque
Islandia
Bosnia
Hongaria
Rumania
Austria
Belgia
Irlandia
Asia / Pasifik
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Jepang
Hongkong
Taiwan
Singapura
Pakistan
Arab Saudi
Qatar
Kuwait
Kamboja
Myanmar
Afrika, India dan Timur Tengah
Uni Emirat Arab
Tajikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Kongo
Afrika Selatan
Mesir
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisia
Amerika Selatan / Oseania
Selandia Baru
Angola
Brasil
Mozambik
Peru
Kolombia
Cile
Venezuela
Ekuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Amerika Utara
Amerika Serikat
Haiti
Kanada
Kosta Rika
Meksiko
Tentang DiGi
Tentang Kami
Tentang Kami
Sertifikasi Kami
DiGi Pengenalan
Mengapa DiGi
Kebijakan
Kebijakan Kualitas
Syarat Penggunaan
Kepatuhan RoHS
Proses Pengembalian
Sumber Daya
Kategori Produk
Produsen
Blog dan Postingan
Layanan
Jaminan Kualitas
Cara Pembayaran
Pengiriman Global
Tarif Pengiriman
Pertanyaan yang Sering Diajukan
Nomor Produk Pabrikan:
FQB17N08TM
Product Overview
Produsen:
onsemi
DiGi Electronics Nomor Bagian:
FQB17N08TM-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
Deskripsi Detail:
N-Channel 80 V 16.5A (Tc) 3.13W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaris:
RFQ Online
12837588
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
*
Perusahaan
*
Nama Kontak
*
Telepon
*
E-mail
Alamat Pengiriman
Pesan
(
*
) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
FQB17N08TM Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
onsemi
Pengemasan
-
Seri
QFET®
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
80 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
16.5A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
115mOhm @ 8.25A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±25V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
450 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
3.13W (Ta), 65W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
TO-263 (D2PAK)
Paket / Kasus
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nomor Produk Dasar
FQB1
Lembar Data & Dokumen
Lembar Data HTML
FQB17N08TM-DG
Lembaran Data
FQB17N08TM
Informasi Tambahan
Paket Standar
800
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
HUFA76432S3ST
MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK
FQB6N70TM
MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK
FQP3N60C
MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3
HUFA75429D3ST
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK