N0412N-S19-AY

Nomor Produk Pabrikan:

N0412N-S19-AY

Product Overview

Produsen:

Renesas Electronics Corporation

DiGi Electronics Nomor Bagian:

N0412N-S19-AY-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 40V 100A TO220

Deskripsi Detail:

N-Channel 40 V 100A (Ta) 1.5W (Ta), 119W (Tc) Through Hole TO-220

Inventaris:

2874 Pcs Baru Asli Tersedia

12861338

Minta Penawaran

Kuantitas
Minimum 1

(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam

KIRIM

N0412N-S19-AY Spesifikasi Teknis

Kategori

FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET

Produsen

Renesas Electronics Corporation

Pengemasan

Tube

Seri

-

Status Produk

Active

Jenis FET

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)

40 V

Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C

100A (Ta)

Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)

10V

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

3.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

-

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

100 nC @ 10 V

Vgs (Maks)

±20V

Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds

5550 pF @ 25 V

Fitur FET

-

Disipasi Daya (Maks)

1.5W (Ta), 119W (Tc)

Suhu Operasional

150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Through Hole

Paket Perangkat Pemasok

TO-220

Paket / Kasus

TO-220-3

Nomor Produk Dasar

N0412N-S19

Lembar Data & Dokumen

Lembar data

Lembar Data HTML

N0412N-S19-AY-DG

Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar

1,000

Nama lain

-1161-N0412N-S19-AY

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Affected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Sertifikasi DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produk Terkait

renesas-electronics-america

NP90N06VLG-E1-AY

MOSFET N-CH 60V 90A TO252

onsemi

NTGS3455T1G

MOSFET P-CH 30V 2.5A 6TSOP

renesas-electronics-america

RJK0654DPB-00#J5

MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK

microchip-technology

VP0106N3-G

MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3