Nomor Produk Pabrikan:
BSM180D12P2C101
Product Overview
Produsen:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Nomor Bagian:
BSM180D12P2C101-DG
Deskripsi:
SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE
Deskripsi Detail:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 204A (Tc) 1130W Module
Inventaris:
1 Pcs Baru Asli Tersedia
13523041
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
BSM180D12P2C101 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET, Array MOSFET
Produsen
ROHM Semiconductor
Pengemasan
Bulk
Seri
-
Status Produk
Active
Teknologi
Silicon Carbide (SiC)
Konfigurasi
2 N-Channel (Half Bridge)
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
204A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 35.2mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
-
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
23000pF @ 10V
Daya - Maks
1130W
Suhu Operasional
-40°C ~ 150°C (TJ)
Paket / Kasus
Module
Paket Perangkat Pemasok
Module
Nomor Produk Dasar
BSM180
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Dokumen Keandalan
Informasi Tambahan
Paket Standar
12
Nama lain
Q7641253A
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
BSM120D12P2C005
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
BSM250D17P2E004
SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
HP8KA1TB
MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
