Nomor Produk Pabrikan:
R6009END3TL1
Product Overview
Produsen:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Nomor Bagian:
R6009END3TL1-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Deskripsi Detail:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventaris:
5016 Pcs Baru Asli Tersedia
12851094
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
R6009END3TL1 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
ROHM Semiconductor
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
600 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
535mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 1mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
430 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
94W (Tc)
Suhu Operasional
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
TO-252
Paket / Kasus
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Nomor Produk Dasar
R6009
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
2,500
Nama lain
846-R6009END3TL1DKR
846-R6009END3TL1TR
846-R6009END3TL1CT
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IRLR110ATM
MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK
BS170ZL1G
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
HUF75309D3S
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
