SCT3160KLGC11
Nomor Produk Pabrikan:

SCT3160KLGC11

Product Overview

Produsen:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Nomor Bagian:

SCT3160KLGC11-DG

Deskripsi:

SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Deskripsi Detail:
N-Channel 1200 V 17A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N

Inventaris:

2223 Pcs Baru Asli Tersedia
13527019
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

SCT3160KLGC11 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
ROHM Semiconductor
Pengemasan
Tube
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
1200 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
18V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5.6V @ 2.5mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
42 nC @ 18 V
Vgs (Maks)
+22V, -4V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
398 pF @ 800 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
103W (Tc)
Suhu Operasional
175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-247N
Paket / Kasus
TO-247-3
Nomor Produk Dasar
SCT3160

Lembar Data & Dokumen

Dokumen Keandalan
MOS-3GTHD Reliability Test
Sumber Daya Desain
TO-247N Inner Structure
Lembar data
SCT3160KLGC11 TO-247N Taping Spec

Informasi Tambahan

Paket Standar
30

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Terkait
rohm-semi

RT1E050RPTR

MOSFET P-CH 30V 5A 8TSST

rohm-semi

RQ6E040XNTCR

MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6

rohm-semi

RQ5P010SNTL

MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3

rohm-semi

RSQ025P03TR

MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6