Nomor Produk Pabrikan:
CSD16411Q3T
Product Overview
Produsen:
Texas Instruments
DiGi Electronics Nomor Bagian:
CSD16411Q3T-DG
Deskripsi:
PROTOTYPE
Deskripsi Detail:
N-Channel 25 V 50A (Tc) 35W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Inventaris:
12996090
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
CSD16411Q3T Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Texas Instruments
Pengemasan
-
Seri
NexFET™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
25 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
10mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.3V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
3.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
+16V, -12V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
570 pF @ 12.5 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
35W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Paket / Kasus
8-PowerTDFN
Nomor Produk Dasar
CSD16411
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
1
Nama lain
296-CSD16411Q3T
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
R8006KNXC7G
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
CSD18563Q5A-P
60-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
CSD16323Q3T
PROTOTYPE
