TPN11006NL,LQ
Nomor Produk Pabrikan:

TPN11006NL,LQ

Product Overview

Produsen:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Nomor Bagian:

TPN11006NL,LQ-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Deskripsi Detail:
N-Channel 60 V 17A (Tc) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)

Inventaris:

10188 Pcs Baru Asli Tersedia
12891605
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
9TIr
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

TPN11006NL,LQ Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
U-MOSVIII-H
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
60 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 200µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2000 pF @ 30 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
700mW (Ta), 30W (Tc)
Suhu Operasional
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / Kasus
8-PowerVDFN
Nomor Produk Dasar
TPN11006

Lembar Data & Dokumen

Lembar data

Informasi Tambahan

Paket Standar
3,000
Nama lain
TPN11006NLLQDKR
TPN11006NLLQTR
TPN11006NL,LQ(S
TPN11006NLLQCT

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
RoHS Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
toshiba-semiconductor-and-storage

2SK4017(Q)

MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2

diodes

DMN3026LVTQ-7

MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

diodes

DMN3016LFDF-7

MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN

diodes

DMN30H4D0LFDE-7

MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN