Beranda
Produk
Produsen
Tentang DiGi
Hubungi Kami
Blog dan Postingan
RFQ/Quote
Indonesia
Masuk
Bahasa Pilihan
Bahasa saat ini yang Anda pilih:
Indonesia
Beralih:
Inggris
Eropa
Inggris
Prancis
Spanyol
Turki
Moldova
Lithuania
Norwegia
Jerman
Portugal
Slovakia
ltaly
Finlandia
Rusia
Bulgaria
Denmark
Estonia
Polandia
Ukraina
Slovenia
Ceko
Yunani
Kroasia
Israel
Serbia dan Montenegro
Belarus
Belanda
Swedia
Montenegro
Basque
Islandia
Bosnia
Hongaria
Rumania
Austria
Belgia
Irlandia
Asia / Pasifik
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Jepang
Hongkong
Taiwan
Singapura
Pakistan
Arab Saudi
Qatar
Kuwait
Kamboja
Myanmar
Afrika, India dan Timur Tengah
Uni Emirat Arab
Tajikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Kongo
Afrika Selatan
Mesir
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisia
Amerika Selatan / Oseania
Selandia Baru
Angola
Brasil
Mozambik
Peru
Kolombia
Cile
Venezuela
Ekuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Amerika Utara
Amerika Serikat
Haiti
Kanada
Kosta Rika
Meksiko
Tentang DiGi
Tentang Kami
Tentang Kami
Sertifikasi Kami
DiGi Pengenalan
Mengapa DiGi
Kebijakan
Kebijakan Kualitas
Syarat Penggunaan
Kepatuhan RoHS
Proses Pengembalian
Sumber Daya
Kategori Produk
Produsen
Blog dan Postingan
Layanan
Jaminan Kualitas
Cara Pembayaran
Pengiriman Global
Tarif Pengiriman
Pertanyaan yang Sering Diajukan
Nomor Produk Pabrikan:
TPN11006NL,LQ
Product Overview
Produsen:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Nomor Bagian:
TPN11006NL,LQ-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Deskripsi Detail:
N-Channel 60 V 17A (Tc) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventaris:
10188 Pcs Baru Asli Tersedia
12891605
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
*
Perusahaan
*
Nama Kontak
*
Telepon
*
E-mail
Alamat Pengiriman
Pesan
9
T
I
r
(
*
) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
TPN11006NL,LQ Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
U-MOSVIII-H
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
60 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 200µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2000 pF @ 30 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
700mW (Ta), 30W (Tc)
Suhu Operasional
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / Kasus
8-PowerVDFN
Nomor Produk Dasar
TPN11006
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
TPN11006NL
Informasi Tambahan
Paket Standar
3,000
Nama lain
TPN11006NLLQDKR
TPN11006NLLQTR
TPN11006NL,LQ(S
TPN11006NLLQCT
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
RoHS Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
2SK4017(Q)
MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2
DMN3026LVTQ-7
MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
DMN3016LFDF-7
MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
DMN30H4D0LFDE-7
MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN