TPN11006NL,LQ

Nomor Produk Pabrikan:

TPN11006NL,LQ

Product Overview

Produsen:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Nomor Bagian:

TPN11006NL,LQ-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON

Deskripsi Detail:

N-Channel 60 V 17A (Tc) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)

Inventaris:

10188 Pcs Baru Asli Tersedia

12891605

Minta Penawaran

Kuantitas
Minimum 1

gamZ

(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam

KIRIM

TPN11006NL,LQ Spesifikasi Teknis

Kategori

FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET

Produsen

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Pengemasan

Tape & Reel (TR)

Seri

U-MOSVIII-H

Status Produk

Active

Jenis FET

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)

60 V

Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C

17A (Tc)

Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)

4.5V, 10V

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

11.4mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.5V @ 200µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

23 nC @ 10 V

Vgs (Maks)

±20V

Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds

2000 pF @ 30 V

Fitur FET

-

Disipasi Daya (Maks)

700mW (Ta), 30W (Tc)

Suhu Operasional

150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Paket Perangkat Pemasok

8-TSON Advance (3.1x3.1)

Paket / Kasus

8-PowerVDFN

Nomor Produk Dasar

TPN11006

Lembar Data & Dokumen

Lembar data

Informasi Tambahan

Paket Standar

3,000

Nama lain

TPN11006NLLQDKR

TPN11006NLLQTR

TPN11006NL,LQ(S

TPN11006NLLQCT

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status

RoHS Compliant

Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Sertifikasi DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produk Terkait

toshiba-semiconductor-and-storage

2SK4017(Q)

MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2

diodes

DMN3026LVTQ-7

MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

diodes

DMN3016LFDF-7

MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN

diodes

DMN30H4D0LFDE-7

MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN