Nomor Produk Pabrikan:
TP65H035G4WSQA
Product Overview
Produsen:
Transphorm
DiGi Electronics Nomor Bagian:
TP65H035G4WSQA-DG
Deskripsi:
650 V 46.5 GAN FET
Deskripsi Detail:
N-Channel 650 V 47.2A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaris:
293 Pcs Baru Asli Tersedia
12968099
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
TP65H035G4WSQA Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Transphorm
Pengemasan
Tube
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
650 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
47.2A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.8V @ 1mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
187W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Derajat
Automotive
Kualifikasi
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-247-3
Paket / Kasus
TO-247-3
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
30
Nama lain
1707-TP65H035G4WSQA
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IRFS630B
9A, 200V, 0.4OHM, N-CHANNEL MOSF
CPH3331-TL-E
P-CHANNEL SILICON MOSFET FOR GEN
SIR5802DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
