Nomor Produk Pabrikan:
SI3443DDV-T1-GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SI3443DDV-T1-GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET P-CH 20V 4A/5.3A 6TSOP
Deskripsi Detail:
P-Channel 20 V 4A (Ta), 5.3A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventaris:
13976 Pcs Baru Asli Tersedia
12916689
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SI3443DDV-T1-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
20 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
4A (Ta), 5.3A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
2.5V, 4.5V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
47mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
30 nC @ 8 V
Vgs (Maks)
±12V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
970 pF @ 10 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
6-TSOP
Paket / Kasus
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Nomor Produk Dasar
SI3443
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
3,000
Nama lain
SI3443DDV-T1-GE3DKR
SI3443DDV-T1-GE3CT
SI3443DDV-T1-GE3TR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IXFK170N10P
MOSFET N-CH 100V 170A TO264AA
SQJ422EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
SIHD2N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
