Nomor Produk Pabrikan:
SIDR680DP-T1-GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SIDR680DP-T1-GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
Deskripsi Detail:
N-Channel 80 V 32.8A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Inventaris:
20835 Pcs Baru Asli Tersedia
12916595
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SIDR680DP-T1-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET® Gen IV
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
80 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
32.8A (Ta), 100A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
7.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
5150 pF @ 40 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SO-8DC
Paket / Kasus
PowerPAK® SO-8
Nomor Produk Dasar
SIDR680
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
3,000
Nama lain
SIDR680DP-T1-GE3CT
SIDR680DP-T1-GE3TR
SIDR680DP-T1-GE3DKR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SIA438EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6
SIR876ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
IXFK32N50Q
MOSFET N-CH 500V 32A TO264AA
