Nomor Produk Pabrikan:
SQP120N10-3M8_GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SQP120N10-3M8_GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Deskripsi Detail:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaris:
13006596
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SQP120N10-3M8_GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
-
Seri
-
Kemasan
Tube
Status Bagian
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
100 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
7230 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
250W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-220AB
Paket / Kasus
TO-220-3
Nomor Produk Dasar
SQP120
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
500
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SIHG47N60AEL-GE3
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
SIHD7N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
SIR638DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
