Nomor Produk Pabrikan:
DMT10H9M9SCT
Product Overview
Produsen:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Nomor Bagian:
DMT10H9M9SCT-DG
Deskripsi:
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
Deskripsi Detail:
N-Channel 100 V 99A (Tc) 2.3W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaris:
12978966
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
DMT10H9M9SCT Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Diodes Incorporated
Pengemasan
Tube
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
100 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
99A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
6V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.9V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2085 pF @ 50 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
2.3W (Ta), 156W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-220-3
Paket / Kasus
TO-220-3
Nomor Produk Dasar
DMT10
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
50
Nama lain
31-DMT10H9M9SCT
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
DMP610DLQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
DMT8008LK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
DMT10H032SFVW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
