Nomor Produk Pabrikan:
DMWS120H100SM4
Product Overview
Produsen:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Nomor Bagian:
DMWS120H100SM4-DG
Deskripsi:
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Deskripsi Detail:
N-Channel 1200 V 37.2A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventaris:
2 Pcs Baru Asli Tersedia
13001177
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
DMWS120H100SM4 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Diodes Incorporated
Pengemasan
Tube
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
1200 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
37.2A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
15V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.5V @ 5mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
52 nC @ 15 V
Vgs (Maks)
+19V, -8V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1516 pF @ 1000 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
208W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-247-4
Paket / Kasus
TO-247-4
Nomor Produk Dasar
DMWS120
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
30
Nama lain
31-DMWS120H100SM4
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
G110N06T
MOSFET N-CH 60V 110A TO-220
IST015N06NM5AUMA1
OPTIMOS 5 POWER MOSFET 60 V
IRFP4668PBFXKMA1
TRENCH >=100V PG-TO247-3
