Nomor Produk Pabrikan:
FCA22N60N
Product Overview
Produsen:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Nomor Bagian:
FCA22N60N-DG
Deskripsi:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Deskripsi Detail:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventaris:
545 Pcs Baru Asli Tersedia
12978481
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
FCA22N60N Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Pengemasan
Bulk
Seri
SupreMOS™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
600 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
165mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1950 pF @ 100 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
205W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-3PN
Paket / Kasus
TO-3P-3, SC-65-3
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
65
Nama lain
2156-FCA22N60N
ONSFSCFCA22N60N
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IAUC120N06S5N017ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
IRFR010PBF-BE3
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
DMP510DLQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
