FDA16N50-F109
Nomor Produk Pabrikan:

FDA16N50-F109

Product Overview

Produsen:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Nomor Bagian:

FDA16N50-F109-DG

Deskripsi:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Deskripsi Detail:
N-Channel 500 V 16.5A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN

Inventaris:

270 Pcs Baru Asli Tersedia
12946682
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

FDA16N50-F109 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Pengemasan
Bulk
Seri
UniFET™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
500 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
16.5A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
380mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1945 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
205W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-3PN
Paket / Kasus
TO-3P-3, SC-65-3

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
FDA16N50(_F109)

Informasi Tambahan

Paket Standar
184
Nama lain
2156-FDA16N50-F109
ONSFSCFDA16N50-F109

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Sertifikasi DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Terkait
fairchild-semiconductor

FDA18N50

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQP8N60C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

fairchild-semiconductor

FQPF630

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

international-rectifier

AUIRF1010Z

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB