Nomor Produk Pabrikan:
FDB029N06
Product Overview
Produsen:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Nomor Bagian:
FDB029N06-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Deskripsi Detail:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 231W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaris:
5208 Pcs Baru Asli Tersedia
12946970
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
FDB029N06 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Pengemasan
Bulk
Seri
PowerTrench®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
60 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
151 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
9815 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
231W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
TO-263 (D2PAK)
Paket / Kasus
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
73
Nama lain
FAIFSCFDB029N06
2156-FDB029N06
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
AUIRF1010ZL
MOSFET N-CH 55V 75A TO262
FDS4470
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDD8796
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
