FDB035AN06A0
Nomor Produk Pabrikan:

FDB035AN06A0

Product Overview

Produsen:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Nomor Bagian:

FDB035AN06A0-DG

Deskripsi:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Deskripsi Detail:
N-Channel 60 V 22A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventaris:

RFQ Online
12946955
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

FDB035AN06A0 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Pengemasan
-
Seri
PowerTrench®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
60 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
22A (Ta), 80A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
6V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
124 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
6400 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
310W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
TO-263 (D2PAK)
Paket / Kasus
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Datasheet

Informasi Tambahan

Paket Standar
102
Nama lain
FAIFSCFDB035AN06A0
2156-FDB035AN06A0

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Sertifikasi DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Terkait
fairchild-semiconductor

FDMA530PZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

international-rectifier

IRF1010ZPBF

IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FDD8882

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDMS8023S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2