FQI8N60CTU
Nomor Produk Pabrikan:

FQI8N60CTU

Product Overview

Produsen:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Nomor Bagian:

FQI8N60CTU-DG

Deskripsi:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Deskripsi Detail:
N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)

Inventaris:

6985 Pcs Baru Asli Tersedia
12946703
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

FQI8N60CTU Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Pengemasan
Bulk
Seri
QFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
600 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1255 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
3.13W (Ta), 147W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
I2PAK (TO-262)
Paket / Kasus
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Nomor Produk Dasar
FQI8N60

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Datasheet

Informasi Tambahan

Paket Standar
254
Nama lain
2156-FQI8N60CTU
ONSONSFQI8N60CTU

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Sertifikasi DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Terkait
international-rectifier

IRLR2905ZTRLPBF

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

fairchild-semiconductor

FQP7P06

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

international-rectifier

IRF430

500V, N-CHANNEL REPETITIVE AVALA

fairchild-semiconductor

FDMC8327L

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1