Nomor Produk Pabrikan:
FQP3N60C
Product Overview
Produsen:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Nomor Bagian:
FQP3N60C-DG
Deskripsi:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Deskripsi Detail:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaris:
12946498
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
FQP3N60C Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Pengemasan
-
Seri
QFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
600 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
3.4Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
565 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
75W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-220-3
Paket / Kasus
TO-220-3
Informasi Tambahan
Paket Standar
467
Nama lain
2156-FQP3N60C
ONSFSCFQP3N60C
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
