Nomor Produk Pabrikan:
GP2T080A120H
Product Overview
Produsen:
SemiQ
DiGi Electronics Nomor Bagian:
GP2T080A120H-DG
Deskripsi:
SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L
Deskripsi Detail:
N-Channel 1200 V 35A (Tc) 188W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventaris:
93 Pcs Baru Asli Tersedia
12987643
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
GP2T080A120H Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
SemiQ
Pengemasan
Tube
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
1200 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
20V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 10mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
61 nC @ 20 V
Vgs (Maks)
+25V, -10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1377 pF @ 1000 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
188W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-247-4
Paket / Kasus
TO-247-4
Nomor Produk Dasar
GP2T080A
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
30
Nama lain
1560-GP2T080A120H
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
TW045N120C,S1F
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO
DMT15H017SK3-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
MCAC50N06Y-TP
MCAC50N06Y-TP
