Nomor Produk Pabrikan:
GP2T080A120U
Product Overview
Produsen:
SemiQ
DiGi Electronics Nomor Bagian:
GP2T080A120U-DG
Deskripsi:
SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
Deskripsi Detail:
N-Channel 1200 V 35A (Tc) 188W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaris:
1416 Pcs Baru Asli Tersedia
12973184
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
GP2T080A120U Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
SemiQ
Pengemasan
Tube
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
1200 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
20V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 10mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
58 nC @ 20 V
Vgs (Maks)
+25V, -10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1377 pF @ 1000 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
188W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-247-3
Paket / Kasus
TO-247-3
Nomor Produk Dasar
GP2T080A
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
30
Nama lain
1560-GP2T080A120U
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
PJF9NA90_T0_00001
900V N-CHANNEL MOSFET
PJD85N03_L2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
MMDF4N01HDR2
TRANS MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-PIN
