Nomor Produk Pabrikan:
G080P06M
Product Overview
Produsen:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Nomor Bagian:
G080P06M-DG
Deskripsi:
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Deskripsi Detail:
P-Channel 60 V 195A (Tc) 294W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventaris:
842 Pcs Baru Asli Tersedia
12993026
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
G080P06M Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Goford Semiconductor
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
60 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
186 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
15870 pF @ 30 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
294W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
TO-263
Paket / Kasus
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
800
Nama lain
3141-G080P06MDKR
3141-G080P06MTR
3141-G080P06MCT
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
RoHS Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
G1K3N10G
N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
G1K3N10G
MOSFET N-CH 100V 5A TO-89
G220P02D2
MOSFET P-CH 20V 8A DFN2*2-6L
