G130N06M
Nomor Produk Pabrikan:

G130N06M

Product Overview

Produsen:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Nomor Bagian:

G130N06M-DG

Deskripsi:

N60V, 90A,RD<12M@10V,VTH1.0V~2.4
Deskripsi Detail:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-263

Inventaris:

780 Pcs Baru Asli Tersedia
13309548
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

G130N06M Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Goford Semiconductor
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Status Bagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
60 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
12mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
36.6 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2867 pF @ 30 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
85W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
TO-263
Paket / Kasus
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lembar Data & Dokumen

Lembar data

Informasi Tambahan

Paket Standar
800
Nama lain
3141-G130N06MTR
3141-G130N06MCT
3141-G130N06MDKR
4822-G130N06MTR

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
RoHS Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Model Alternatif

NOMOR BAGIAN
G130N06M
PEMBUAT
Goford Semiconductor
JUMLAH YANG TERSEDIA
780
DiGi NOMOR BAGIAN
G130N06M-DG
HARGA SATUAN
0.32
JENIS PENGGANTI
Parametric Equivalent
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
goford-semiconductor

GT023N10T

N100V, 140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6K804R,LF

N-CH MOSFET 40V, +/-20V, 12A ,0.

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6J808R,LF

P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O

diodes

DMTH12H007SPSW-13

MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5