Nomor Produk Pabrikan:
G2012
Product Overview
Produsen:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Nomor Bagian:
G2012-DG
Deskripsi:
N20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<18
Deskripsi Detail:
N-Channel 20 V 12A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Inventaris:
2994 Pcs Baru Asli Tersedia
13000377
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
G2012 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Goford Semiconductor
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
20 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
2.5V, 4.5V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
12mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1255 pF @ 10 V
Fitur FET
Standard
Disipasi Daya (Maks)
1.5W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
6-DFN (2x2)
Paket / Kasus
6-WDFN Exposed Pad
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
3,000
Nama lain
3141-G2012DKR
4822-G2012TR
3141-G2012TR
3141-G2012CT
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
DMP4065SK3-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R
GC11N65M
N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
SQJA72EP-T1_BE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
