G50N03J
Nomor Produk Pabrikan:

G50N03J

Product Overview

Produsen:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Nomor Bagian:

G50N03J-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 30V 65A TO-251
Deskripsi Detail:
N-Channel 65A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-251

Inventaris:

3000 Pcs Baru Asli Tersedia
13000702
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

G50N03J Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Goford Semiconductor
Pengemasan
Tube
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (Maks)
±20V
Fitur FET
Standard
Disipasi Daya (Maks)
48W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-251
Paket / Kasus
TO-251-3 Stub Leads, IPak

Informasi Tambahan

Paket Standar
3,000
Nama lain
4822-G50N03J

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
RoHS non-compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
diodes

DMT64M1LCG-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333

diodes

DMP2067LSS-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.

diodes

DMNH6010SCTBQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R

rohm-semi

RS6N120BHTB1

NCH 80V 120A, HSOP8, POWER MOSFE