G60N10T
Nomor Produk Pabrikan:

G60N10T

Product Overview

Produsen:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Nomor Bagian:

G60N10T-DG

Deskripsi:

N100V,RD(MAX)<25M@10V,RD(MAX)<30
Deskripsi Detail:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 132W (Tc) Through Hole TO-220

Inventaris:

86 Pcs Baru Asli Tersedia
12999086
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

G60N10T Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Goford Semiconductor
Pengemasan
Tube
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
100 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
146 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3970 pF @ 50 V
Fitur FET
Standard
Disipasi Daya (Maks)
132W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-220
Paket / Kasus
TO-220-3

Lembar Data & Dokumen

Lembar data

Informasi Tambahan

Paket Standar
50
Nama lain
3141-G60N10T
4822-G60N10T

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
taiwan-semiconductor

TSM60NC196CI

600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL POWE

vishay-siliconix

SIR5623DP-T1-RE3

P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE

taiwan-semiconductor

TSM085N03PQ33

30V, 52A, SINGLE N-CHANNEL POWER

taiwan-semiconductor

TSM4NB60CH

600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER