G65P06T
Nomor Produk Pabrikan:

G65P06T

Product Overview

Produsen:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Nomor Bagian:

G65P06T-DG

Deskripsi:

MOSFET P-CH 60V 65A TO-220
Deskripsi Detail:
P-Channel 65A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220

Inventaris:

13000952
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

G65P06T Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Goford Semiconductor
Pengemasan
-
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.5V @ 250µA
Vgs (Maks)
±20V
Fitur FET
Standard
Disipasi Daya (Maks)
130W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-220
Paket / Kasus
TO-220-3

Lembar Data & Dokumen

Lembar data

Informasi Tambahan

Paket Standar
2,000
Nama lain
4822-G65P06T

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
RoHS non-compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
goford-semiconductor

GT105N10T

N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<

onsemi

NVMYS2D3N06CTWG

T6 60V SL LFPAK4 5X6

diodes

DMT12H060LFDF-7

MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202

taiwan-semiconductor

TSM60NB1R4CP

600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER