Nomor Produk Pabrikan:
BSB056N10NN3GXUMA1
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
BSB056N10NN3GXUMA1-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
Deskripsi Detail:
N-Channel 100 V 9A (Ta), 83A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Inventaris:
11611 Pcs Baru Asli Tersedia
12802534
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
BSB056N10NN3GXUMA1 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
OptiMOS™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
100 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
9A (Ta), 83A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
6V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
5.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.5V @ 100µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
5500 pF @ 50 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
2.8W (Ta), 78W (Tc)
Suhu Operasional
-40°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / Kasus
3-WDSON
Nomor Produk Dasar
BSB056
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
5,000
Nama lain
BSB056N10NN3 G-DG
BSB056N10NN3 GDKR-DG
BSB056N10NN3 GDKR
BSB056N10NN3 G
BSB056N10NN3 GCT
2156-BSB056N10NN3GXUMA1TR
BSB056N10NN3GXUMA1TR
BSB056N10NN3G
BSB056N10NN3 GTR-DG
BSB056N10NN3 GCT-DG
SP000604540
BSB056N10NN3GXT
BSB056N10NN3GXUMA1CT
BSB056N10NN3GXUMA1DKR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IPU80R1K4CEAKMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
IRF6216TRPBF
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
IRF7210PBF
MOSFET P-CH 12V 16A 8SO