Nomor Produk Pabrikan:
BSC018NE2LSIATMA1
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
BSC018NE2LSIATMA1-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Deskripsi Detail:
N-Channel 25 V 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Inventaris:
9750 Pcs Baru Asli Tersedia
12798661
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
BSC018NE2LSIATMA1 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
OptiMOS™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
25 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
29A (Ta), 100A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2500 pF @ 12 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PG-TDSON-8-6
Paket / Kasus
8-PowerTDFN
Nomor Produk Dasar
BSC018
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
5,000
Nama lain
BSC018NE2LSIATMA1TR
BSC018NE2LSI-DG
BSC018NE2LSIDKR-DG
INFINFBSC018NE2LSIATMA1
BSC018NE2LSIATMA1DKR
BSC018NE2LSICT-DG
BSC018NE2LSIDKR
BSC018NE2LSITR-DG
BSC018NE2LSIATMA1CT
SP000906030
BSC018NE2LSI
2156-BSC018NE2LSIATMA1
BSC018NE2LSICT
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
AUIRFN8405TR
MOSFET N-CH 40V 95A PQFN
BSC028N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
BSC009NE2LS5IATMA1
MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON
