BSC091N03MSCGATMA1
Nomor Produk Pabrikan:

BSC091N03MSCGATMA1

Product Overview

Produsen:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Nomor Bagian:

BSC091N03MSCGATMA1-DG

Deskripsi:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Deskripsi Detail:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 44A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6

Inventaris:

39335 Pcs Baru Asli Tersedia
12946659
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

BSC091N03MSCGATMA1 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Bulk
Seri
SIPMOS®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
30 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
12A (Ta), 44A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
9.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1500 pF @ 15 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PG-TDSON-8-6
Paket / Kasus
8-PowerTDFN

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
BSC091N03MSCGATMA1 Datasheet

Informasi Tambahan

Paket Standar
1,094
Nama lain
INFINFBSC091N03MSCGATMA1
2156-BSC091N03MSCGATMA1

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Terkait
fairchild-semiconductor

FDC654P

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

diodes

BSS127SSN-7

MOSFET N-CH 600V 50MA SC59

national-semiconductor

CSD18503KCS

CSD18503KCS 40V, N CHANNEL NEXFE

fairchild-semiconductor

FDMS0355S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR