IGLD60R190D1AUMA3

Nomor Produk Pabrikan:

IGLD60R190D1AUMA3

Product Overview

Produsen:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Nomor Bagian:

IGLD60R190D1AUMA3-DG

Deskripsi:

GAN HV

Deskripsi Detail:

N-Channel 600 V 10A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-LSON-8-1

Inventaris:

2344 Pcs Baru Asli Tersedia

12965865

Minta Penawaran

Kuantitas
Minimum 1

(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam

KIRIM

IGLD60R190D1AUMA3 Spesifikasi Teknis

Kategori

FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET

Produsen

Infineon Technologies

Pengemasan

Tape & Reel (TR)

Seri

CoolGaN™

Status Produk

Active

Jenis FET

N-Channel

Teknologi

GaNFET (Gallium Nitride)

Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)

600 V

Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C

10A (Tc)

Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)

-

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

-

Vgs(th) (Maks) @ Id

1.6V @ 960µA

Vgs (Maks)

-10V

Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds

157 pF @ 400 V

Fitur FET

-

Disipasi Daya (Maks)

62.5W (Tc)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Paket Perangkat Pemasok

PG-LSON-8-1

Paket / Kasus

8-LDFN Exposed Pad

Lembar Data & Dokumen

Lembar data

Lembar Data HTML

IGLD60R190D1AUMA3-DG

Lembaran Data

IGLD60R190D1AUMA3

Informasi Tambahan

Paket Standar

3,000

Nama lain

448-IGLD60R190D1AUMA3DKR

448-IGLD60R190D1AUMA3TR

448-IGLD60R190D1AUMA3CT

SP005557217

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)

3 (168 Hours)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Sertifikasi DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produk Terkait

IGOT60R070D1E8220AUMA1

GAN HV

IGT60R190D1ATMA1

GAN HV

IGO60R070D1E8220AUMA1

GAN HV

IGT40R070D1ATMA1

GAN HV