Nomor Produk Pabrikan:
IMZ120R030M1HXKSA1
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IMZ120R030M1HXKSA1-DG
Deskripsi:
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4
Deskripsi Detail:
N-Channel 1200 V 56A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
Inventaris:
159 Pcs Baru Asli Tersedia
12802953
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IMZ120R030M1HXKSA1 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tube
Seri
CoolSiC™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
1200 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
15V, 18V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
40mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5.7V @ 10mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
63 nC @ 18 V
Vgs (Maks)
+23V, -7V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2120 pF @ 800 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
227W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO247-4-1
Paket / Kasus
TO-247-4
Nomor Produk Dasar
IMZ120
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
30
Nama lain
448-IMZ120R030M1HXKSA1
IMZ120R030M1HXKSA1-DG
SP001727394
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IRFBA1405PPBF
MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220
IRFH5302TRPBF
MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN
IPU60R950C6BKMA1
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251-3
