Nomor Produk Pabrikan:
IPB019N08N3GATMA1
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IPB019N08N3GATMA1-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Deskripsi Detail:
N-Channel 80 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Inventaris:
8632 Pcs Baru Asli Tersedia
12800599
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IPB019N08N3GATMA1 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
OptiMOS™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
80 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
6V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.5V @ 270µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
14200 pF @ 40 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
300W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO263-7
Paket / Kasus
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Nomor Produk Dasar
IPB019
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
1,000
Nama lain
IPB019N08N3GATMA1CT
IPB019N08N3 G-DG
IPB019N08N3 G
Q4136793
IPB019N08N3 GCT
IPB019N08N3 GTR-DG
IPB019N08N3GATMA1TR
SP000444110
2832-IPB019N08N3GATMA1-TR
IPB019N08N3G
IPB019N08N3 GCT-DG
IPB019N08N3 GDKR-DG
IPB019N08N3 GDKR
IPB019N08N3GATMA1DKR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IPI25N06S3L-22
MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3
IPB117N20NFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
IPC100N04S5L1R5ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
