Nomor Produk Pabrikan:
IPB029N06N3GATMA1
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IPB029N06N3GATMA1-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Deskripsi Detail:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventaris:
29422 Pcs Baru Asli Tersedia
12804114
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IPB029N06N3GATMA1 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
OptiMOS™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
60 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 118µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
13000 pF @ 30 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
188W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO263-3
Paket / Kasus
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nomor Produk Dasar
IPB029
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
1,000
Nama lain
IPB029N06N3G
IPB029N06N3 GCT
IPB029N06N3 G-DG
IPB029N06N3 GDKR-DG
IPB029N06N3GATMA1CT
IPB029N06N3 GTR-DG
IPB029N06N3GATMA1DKR
IPB029N06N3 GCT-DG
IPB029N06N3GATMA1TR
IPB029N06N3 GDKR
IPB029N06N3 G
SP000453052
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IRF6633ATRPBF
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
IRFB4229PBF
MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
IPP50R199CPXKSA1
MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3
