Nomor Produk Pabrikan:
IPB65R065C7ATMA2
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IPB65R065C7ATMA2-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
Deskripsi Detail:
N-Channel 650 V 33A (Tc) 171W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventaris:
5227 Pcs Baru Asli Tersedia
12801353
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IPB65R065C7ATMA2 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
CoolMOS™ C7
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
650 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
65mOhm @ 17.1A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 200µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3020 pF @ 400 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
171W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO263-3
Paket / Kasus
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nomor Produk Dasar
IPB65R065
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
1,000
Nama lain
SP002447554
IPB65R065C7ATMA2CT
IPB65R065C7ATMA2DKR
IPB65R065C7ATMA2TR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IPA60R180C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP
IPB60R099CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
IPL65R660E6AUMA1
MOSFET N-CH 650V 7A THIN-PAK