Nomor Produk Pabrikan:
IPB80N06S209ATMA2
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IPB80N06S209ATMA2-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Deskripsi Detail:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventaris:
912 Pcs Baru Asli Tersedia
12804992
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IPB80N06S209ATMA2 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
OptiMOS™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
55 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 125µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2360 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
190W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO263-3-2
Paket / Kasus
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nomor Produk Dasar
IPB80N
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
1,000
Nama lain
IPB80N06S209ATMA2-DG
SP001061716
2156-IPB80N06S209ATMA2
IPB80N06S209ATMA2CT
IFEINFIPB80N06S209ATMA2
IPB80N06S209ATMA2DKR
IPB80N06S209ATMA2TR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMOR BAGIAN
BUK9612-55B,118
PEMBUAT
Nexperia USA Inc.
JUMLAH YANG TERSEDIA
16996
DiGi NOMOR BAGIAN
BUK9612-55B,118-DG
HARGA SATUAN
0.73
JENIS PENGGANTI
MFR Recommended
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IRF3707ZPBF
MOSFET N-CH 30V 59A TO220AB
IRF4905SPBF
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
IPS105N03LGAKMA1
MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
