IPD22N08S2L50ATMA1
Nomor Produk Pabrikan:

IPD22N08S2L50ATMA1

Product Overview

Produsen:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Nomor Bagian:

IPD22N08S2L50ATMA1-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
Deskripsi Detail:
N-Channel 75 V 27A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

Inventaris:

5000 Pcs Baru Asli Tersedia
12800697
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

IPD22N08S2L50ATMA1 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
OptiMOS™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
75 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
50mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 31µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
630 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
75W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO252-3-11
Paket / Kasus
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Nomor Produk Dasar
IPD22N08

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
2,500
Nama lain
SP000252163
IPD22N08S2L-50-DG
IPD22N08S2L50ATMA1CT
IPD22N08S2L-50
IPD22N08S2L50ATMA1TR
IPD22N08S2L50ATMA1DKR

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
infineon-technologies

IPI120N04S4-01M

MOSFET N-CH TO262-3

infineon-technologies

BSS84PH6327XTSA2

MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3

infineon-technologies

IPD65R950CFDATMA1

MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3

infineon-technologies

BSP373NH6327XTSA1

MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4