Nomor Produk Pabrikan:
IPD30N06S215ATMA2
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IPD30N06S215ATMA2-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Deskripsi Detail:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventaris:
4675 Pcs Baru Asli Tersedia
12804172
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IPD30N06S215ATMA2 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
OptiMOS™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
55 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
14.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 80µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1485 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
136W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO252-3-11
Paket / Kasus
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Nomor Produk Dasar
IPD30N06
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
2,500
Nama lain
SP001061724
IPD30N06S215ATMA2DKR
2156-IPD30N06S215ATMA2
IPD30N06S215ATMA2TR
IPD30N06S215ATMA2CT
IPD30N06S215ATMA2-DG
INFINFIPD30N06S215ATMA2
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IPP037N08N3GXKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
IRF2907ZLPBF
MOSFET N-CH 75V 160A TO262
IPD036N04LGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
