IPD30N06S215ATMA2
Nomor Produk Pabrikan:

IPD30N06S215ATMA2

Product Overview

Produsen:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Nomor Bagian:

IPD30N06S215ATMA2-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Deskripsi Detail:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

Inventaris:

4675 Pcs Baru Asli Tersedia
12804172
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

IPD30N06S215ATMA2 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
OptiMOS™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
55 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
14.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 80µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1485 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
136W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO252-3-11
Paket / Kasus
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Nomor Produk Dasar
IPD30N06

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
2,500
Nama lain
SP001061724
IPD30N06S215ATMA2DKR
2156-IPD30N06S215ATMA2
IPD30N06S215ATMA2TR
IPD30N06S215ATMA2CT
IPD30N06S215ATMA2-DG
INFINFIPD30N06S215ATMA2

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
infineon-technologies

IPP037N08N3GXKSA1

MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3

infineon-technologies

IRF2907ZLPBF

MOSFET N-CH 75V 160A TO262

infineon-technologies

IPD036N04LGBTMA1

MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

infineon-technologies

IPW60R125CPFKSA1

MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3