IPD50N06S4L12ATMA2
Nomor Produk Pabrikan:

IPD50N06S4L12ATMA2

Product Overview

Produsen:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Nomor Bagian:

IPD50N06S4L12ATMA2-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Deskripsi Detail:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

Inventaris:

17005 Pcs Baru Asli Tersedia
12800766
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

IPD50N06S4L12ATMA2 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
OptiMOS™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
60 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
12mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.2V @ 20µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±16V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2890 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
50W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Derajat
Automotive
Kualifikasi
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO252-3-11
Paket / Kasus
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Nomor Produk Dasar
IPD50

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
2,500
Nama lain
INFINFIPD50N06S4L12ATMA2
2156-IPD50N06S4L12ATMA2
IPD50N06S4L12ATMA2DKR
IPD50N06S4L12ATMA2TR
SP001028640
IPD50N06S4L12ATMA2CT

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
infineon-technologies

BSC360N15NS3GATMA1

MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON

infineon-technologies

IPC95R750P7X7SA1

MOSFET N-CH BARE DIE

infineon-technologies

IPB240N03S4LR8ATMA1

MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7

infineon-technologies

IPC60R099C6X1SA1

MOSFET N-CH BARE DIE