Nomor Produk Pabrikan:
IPD60N10S412ATMA1
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IPD60N10S412ATMA1-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Deskripsi Detail:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventaris:
5842 Pcs Baru Asli Tersedia
12804190
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IPD60N10S412ATMA1 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
OptiMOS™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
100 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
12.2mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.5V @ 46µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2470 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
94W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Derajat
Automotive
Kualifikasi
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO252-3-313
Paket / Kasus
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Nomor Produk Dasar
IPD60N10
Lembar Data & Dokumen
Lembar Data HTML
Lembaran Data
Informasi Tambahan
Paket Standar
2,500
Nama lain
IPD60N10S412ATMA1-DG
448-IPD60N10S412ATMA1DKR
448-IPD60N10S412ATMA1CT
448-IPD60N10S412ATMA1TR
INFINFIPD60N10S412ATMA1
SP001102936
2156-IPD60N10S412ATMA1
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IRF100P218XKMA1
MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
IRFH4209DTRPBF
MOSFET N-CH 25V 44A/260A PQFN
IRF7707GTRPBF
MOSFET P-CH 20V 7A 8TSSOP
