IPD60R2K0C6ATMA1
Nomor Produk Pabrikan:

IPD60R2K0C6ATMA1

Product Overview

Produsen:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Nomor Bagian:

IPD60R2K0C6ATMA1-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
Deskripsi Detail:
N-Channel 600 V 2.4A (Tc) 22.3W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Inventaris:

2500 Pcs Baru Asli Tersedia
12804780
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

IPD60R2K0C6ATMA1 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
CoolMOS™ C6
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
600 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
2Ohm @ 760mA, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.5V @ 60µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
140 pF @ 100 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
22.3W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO252-3
Paket / Kasus
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Nomor Produk Dasar
IPD60R

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
2,500
Nama lain
448-IPD60R2K0C6ATMA1CT
448-IPD60R2K0C6ATMA1DKR
SP001117714
IPD60R2K0C6ATMA1-DG
448-IPD60R2K0C6ATMA1TR

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
infineon-technologies

IPP45N06S409AKSA2

MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3

infineon-technologies

IRFR7546TRPBF

MOSFET N-CH 60V 56A DPAK

infineon-technologies

IRFIB41N15DPBF

MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB FP

infineon-technologies

IRF3205ZSTRRPBF

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK