Nomor Produk Pabrikan:
IPD65R600E6ATMA1
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IPD65R600E6ATMA1-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
Deskripsi Detail:
N-Channel 650 V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventaris:
12803043
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IPD65R600E6ATMA1 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
-
Seri
CoolMOS™ E6
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
650 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
600mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.5V @ 210µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
440 pF @ 100 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
63W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO252-3
Paket / Kasus
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Nomor Produk Dasar
IPD65R600
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
2,500
Nama lain
SP001117096
2156-IPD65R600E6ATMA1
ROCINFIPD65R600E6ATMA1
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMOR BAGIAN
STD11N60DM2
PEMBUAT
STMicroelectronics
JUMLAH YANG TERSEDIA
1905
DiGi NOMOR BAGIAN
STD11N60DM2-DG
HARGA SATUAN
0.67
JENIS PENGGANTI
MFR Recommended
NOMOR BAGIAN
IPD70R600P7SAUMA1
PEMBUAT
Infineon Technologies
JUMLAH YANG TERSEDIA
12894
DiGi NOMOR BAGIAN
IPD70R600P7SAUMA1-DG
HARGA SATUAN
0.26
JENIS PENGGANTI
MFR Recommended
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IRF7477
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
IPA65R380C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
IRF9530NS
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
