Nomor Produk Pabrikan:
IPD65R950CFDATMA2
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IPD65R950CFDATMA2-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
Deskripsi Detail:
N-Channel 650 V 3.9A (Tc) 36.7W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventaris:
2500 Pcs Baru Asli Tersedia
12801237
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IPD65R950CFDATMA2 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
CoolMOS™ CFD2
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
650 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
950mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 200µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
14.1 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
380 pF @ 100 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
36.7W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO252-3
Paket / Kasus
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Nomor Produk Dasar
IPD65R950
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
2,500
Nama lain
IPD65R950CFDATMA2-DG
SP001977060
448-IPD65R950CFDATMA2TR
448-IPD65R950CFDATMA2DKR
448-IPD65R950CFDATMA2CT
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IPD60R2K1CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
IPB037N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
IPB180P04P4L02ATMA1
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7