IPDD60R102G7XTMA1
Nomor Produk Pabrikan:

IPDD60R102G7XTMA1

Product Overview

Produsen:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Nomor Bagian:

IPDD60R102G7XTMA1-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 600V 23A HDSOP-10
Deskripsi Detail:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1

Inventaris:

12803526
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

IPDD60R102G7XTMA1 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
CoolMOS™ G7
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
600 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
102mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 390µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1320 pF @ 400 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
139W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PG-HDSOP-10-1
Paket / Kasus
10-PowerSOP Module
Nomor Produk Dasar
IPDD60

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
1,700
Nama lain
IPDD60R102G7XTMA1TR
IPDD60R102G7
SP001632832
IPDD60R102G7XTMA1DKR
IPDD60R102G7XTMA1CT

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
infineon-technologies

IPB160N04S203ATMA4

MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

infineon-technologies

IPB60R120P7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK

infineon-technologies

IPD80N06S3-09

MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3

infineon-technologies

IPL65R195C7AUMA1

MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON