IPN60R1K0CEATMA1
Nomor Produk Pabrikan:

IPN60R1K0CEATMA1

Product Overview

Produsen:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Nomor Bagian:

IPN60R1K0CEATMA1-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Deskripsi Detail:
N-Channel 600 V 6.8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3

Inventaris:

12818273
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

IPN60R1K0CEATMA1 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
CoolMOS™ CE
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
600 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.5V @ 130µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
280 pF @ 100 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
5W (Tc)
Suhu Operasional
-40°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PG-SOT223-3
Paket / Kasus
TO-261-4, TO-261AA
Nomor Produk Dasar
IPN60R1

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
3,000
Nama lain
IPN60R1K0CEATMA1-DG
2156-IPN60R1K0CEATMA1TR
SP001434884
IPN60R1K0CEATMA1CT
IPN60R1K0CEATMA1DKR
IPN60R1K0CEATMA1TR

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
texas-instruments

CSD18502KCS

MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3

infineon-technologies

IRF6629TR1PBF

MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET

infineon-technologies

IRFR9120NTRLPBF

MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

infineon-technologies

IRLR2905TRPBF

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK