Nomor Produk Pabrikan:
IPN60R1K0CEATMA1
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IPN60R1K0CEATMA1-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Deskripsi Detail:
N-Channel 600 V 6.8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
Inventaris:
12818273
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IPN60R1K0CEATMA1 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
CoolMOS™ CE
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
600 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.5V @ 130µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
280 pF @ 100 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
5W (Tc)
Suhu Operasional
-40°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PG-SOT223-3
Paket / Kasus
TO-261-4, TO-261AA
Nomor Produk Dasar
IPN60R1
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
3,000
Nama lain
IPN60R1K0CEATMA1-DG
2156-IPN60R1K0CEATMA1TR
SP001434884
IPN60R1K0CEATMA1CT
IPN60R1K0CEATMA1DKR
IPN60R1K0CEATMA1TR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
CSD18502KCS
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
IRF6629TR1PBF
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
IRFR9120NTRLPBF
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK